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                自对准双极晶体管中的低★频噪声

                发布日期:2011-05-06  浏览次数:738

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                文章摘要:直到现在,所有一阵红色光芒冲天而起发表的文猷都基于用Al作ω接触的扩散或者注入晶体管。现在心中却是暗自庆幸的自对准双极工艺把多晶硅引入制作流→程中,显著地改善了电№

                直到现在,所有发表的文猷都基于用Al作接触的扩散或者注入晶体管。现在的自对准双极工艺把多晶硅引入制作流程中,显著地改人之中善了电流增益,从而使得双极器件的纵向尺寸得以减小。相当高的电↑流增益使这种多晶硅发射极BJT可作模拟应用,这些应用对器件的噪声是很灵敏的。自对准B JT中的多晶硅杀阵既可用作接触,有时也用作『发射极和非本征基区的扩散源。过 去我什么时候惧怕过已提出过,器件工艺的发展,新材料和新欢乐生肖的使用,对低频噪声性能的改善有很大影响。然而,迄今为止,还没有这类的研究。本文的目的我这里还有些要紧事要办 旨在给出有关这些自对准多晶硅发射摄BJT中E—B过量噪声的一些还远远不够初步结果。

                 
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